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Interfacial Resonance States-Induced Negative Tunneling Magneto-Resistance in Orthogonally Magnetized CoFeB/MgO/CoFeB
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2024, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 1-6
作者:
Puyang Huang
;
Aitian Chen
;
Jianting Dong
;
Di Wu
;
Xinqi Liu
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提交时间：2023/09/24
First-principle calculation
interfacial resonant state
magnetic tunnel junction (MTJ)
negative tunneling magneto-resistance (TMR)
Cobalt compounds
Iron compounds
Magnesia
Magnetic anisotropy
MRAM devices
Tunnel junctions
Tunnelling magnetoresistance
First principle calculations
Interfacial resonant state
Magnetic tunneling
Magnetic tunneling junctions
Magnetic-field
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Tunneling magnetoresistance
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