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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT
期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:
Yitai zhu
;
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Haolan Qu
;
Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)
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浏览/下载:66/1
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提交时间:2025/03/07
Aluminum gallium nitride
Deep level transient spectroscopy
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Indium phosphide
Junction gate field effect transistors
MOS devices
MOSFET devices
Semiconducting aluminum compounds
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting indium phosphide
Surface discharges
Threshold voltage
AlGaN
Dynamic performance
Dynamics characteristic
Enhancement mode
GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistor
Interface traps
Metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors
Neutral beam etching
Normally off
Recessed gate
Hybrid LBM-FVM solver for two-phase flow simulation
期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2024, 卷号: 506
作者:
Adobe PDF(3772Kb)
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提交时间:2024/04/12
Benchmarking
Boltzmann equation
Distribution functions
Finite volume method
Interface states
Numerical methods
Phase interfaces
Special effects
Two phase flow
Finite-volume method
Fluid equations
Fluid flow simulation
High-accuracy
Interface dynamic
Lattice Boltzmann method
Phase field equation
Two phases flow
Two-phase flow simulation
Two-phase fluid flow
Dynamic Structural Evolution of CeO2 in CuO-CeO2 Catalyst Revealed by In Situ Spectroscopy
期刊论文
CHEMCATCHEM, 2023
作者:
Wu, Mei-Yao
;
Wang, Bei-Bei
;
Wang, Wei-Wei
;
Yang, Fan
;
Jia, Chun-Jiang
Adobe PDF(2888Kb)
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收藏
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浏览/下载:299/3
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提交时间:2023/10/07
CeO2-CuO catalyst
dynamic structure evolution
in situ characterization
inverse interface
oxygen migration
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