消息
×
loading..
中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响 期刊论文
四川师范大学学报(自然科学版), 2018, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 662-667
作者:  张凡;  潘文武;  王利娟;  张焱超;  宋禹忻
Adobe PDF(2934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：311/1  |  提交时间：2022/12/14
1.142 mu m GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2017, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 1322-1326
作者:  Wu, Xiaoyan;  Pan, Wenwu;  Zhang, Zhenpu;  Li, Yaoyao;  Cao, Chunfang
Adobe PDF(1221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：600/1  |  提交时间：2017/08/26
Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 1
作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Song, Yuxin;  Li, Yaoyao
Adobe PDF(1009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：625/0  |  提交时间：2017/07/04
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页