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物质科学与技术学院 [2]
作者
黄富强 [1]
郭艳峰 [1]
张绍宁 [1]
袁健 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2024 [1]
2022 [1]
出处
ACS APPLIE... [1]
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Ferroelectric Switching Behavior in Two-Dimensional Semiconductor α-In2Se3 for Nonvolatile Memory
期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2024, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 2507-2513
作者:
Li, Zhengxin
;
Chen, Yangyang
;
Yuan, Jian
;
Xu, Wanting
;
Yang, Xiaoqing
Adobe PDF(5006Kb)
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浏览/下载：277/0
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提交时间：2024/04/26
Electric fields
Ferroelectric materials
Ferroelectricity
Field effect transistors
Graphene
Memristors
Nonvolatile storage
Ferroelectric switching
Few-layer graphene
Memristor
Non-volatile memory
Out-of-plane
Switching behaviors
Two-dimensional materials
Two-dimensional semiconductors
Vdw heterostructure
Α-in2se3
Complex-derived Fe2N Anchored on Conductive Few-layer Graphene for Electrocatalytic Oxygen Reduction Reaction
期刊论文
CHEMNANOMAT, 2022
作者:
Zhang, Shaoning
;
Dong, Chenlong
;
Wan, Zengming
;
Huang, Fuqiang
Adobe PDF(2257Kb)
|
收藏
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浏览/下载：657/0
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提交时间：2022/02/25
Catalysis
Catalysts
Doping (additives)
Electrolytic reduction
Graphene
Iron
Iron compounds
Nitrogen
Nitrogen compounds
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Electrically conductive
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Nitrogen doped graphene
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