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1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)
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浏览/下载:78/4
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提交时间:2025/02/12
Distributed feedback lasers
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Junction gate field effect transistors
Leakage currents
Monolithic microwave integrated circuits
Noise figure
Enhancement-mode
Gallium nitride
High electron-mobility transistors
Low noiseamplifier
Low-noise amplifier
Metala sem-iconductor high-electron-mobility transistor (MOSHEMT)
MOSHEMT
MOSHEMTs
Neutral beam etching
Precise and Tunable TΩ Pseudo-Resistors Based on Process-Independent pA-level Current Sources and DACs
会议论文
2024 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), Singapore, Singapore, 19-22 May 2024
作者:
Jiahe Li
;
Ruoyu Chu
;
Ziqi Li
;
Hongming Lyu
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浏览/下载:298/4
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提交时间:2024/07/08
CMOS integrated circuits
Feedback amplifiers
Integrated circuit design
Leakage currents
Mirrors
Resistors
Timing circuits
Tuning
Bio-signal amplifier
Capacitively coupled
CMOS
Current mirrors
Instrumentation amplifier
Pa current mirror DAC
Process dependency
Sub-threshold circuits
Tunable pseudo-resistor
Tunables
Digital fluxgate current sensor based on second harmonic detection
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF APPLIED ELECTROMAGNETICS AND MECHANICS
作者:
Wei, Yutong
;
Wang, Yang
;
Wang, Meiling
;
Ye, Chaofeng
Adobe PDF(642Kb)
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收藏
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浏览/下载:212/2
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提交时间:2022/12/09
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Feedback currents
Magnetic saturation effects
Magnetization currents
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