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Understanding the mechanism of plasma etching of carbon-doped GeSbTe phase change material
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2024, 卷号: 671
作者:
Liu, Jin
;
Zhang, Jiarui
;
Wan, Ziqi
;
Chen, Yuqing
;
Zheng, Jia
Adobe PDF(2695Kb)
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浏览/下载:454/4
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提交时间:2024/08/09
Antimony compounds
Bromine compounds
Cleaning
Germanium compounds
Oxygen
Phase change memory
Tellurium compounds
300 mm wafers
Carbon-doped gesbte
Chemical damages
Cleaning process
Etching damages
High temperature process
Phase-change memory
Physical damages
Pitch line
Thermal crosstalk
The study and optimization of ICP deep etching at a low-temperature for InP solid-immersion metalens fabrication
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 卷号: 166
作者:
Zhu, Yicheng
;
Wang, Wenjuan
;
Zhou, Min
;
Qu, Huidan
;
Li, Guanhai
Adobe PDF(6984Kb)
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浏览/下载:469/1
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提交时间:2023/07/28
Aspect ratio
Chlorine compounds
Etching
Fabrication
III-V semiconductors
Inductively coupled plasma
Optimization
Photodetectors
Photons
Semiconducting indium
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconducting indium phosphide
Temperature
Deep etching
Etching process
High aspect ratio structure fabrication
High aspect ratio structures
Inductively coupled plasma deep etching
Inductively-coupled plasma
InP based
Lows-temperatures
MetaLens
Structure fabrication
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
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浏览/下载:251/0
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提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
Energy calibration of a CR-39 nuclear-track detector irradiated by charged particles
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 6
作者:
Zhang, Yue
;
Wang, Hong-Wei
;
Ma, Yu-Gang
;
Liu, Long-Xiang
;
Cao, Xi-Guang
Adobe PDF(1226Kb)
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浏览/下载:721/20
|
提交时间:2019/06/04
CR-39 detector
Energy calibration
Bulk etch rate
Etching temperature
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