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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT
期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:
Yitai zhu
;
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Haolan Qu
;
Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)
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浏览/下载:66/1
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提交时间:2025/03/07
Aluminum gallium nitride
Deep level transient spectroscopy
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Indium phosphide
Junction gate field effect transistors
MOS devices
MOSFET devices
Semiconducting aluminum compounds
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting indium phosphide
Surface discharges
Threshold voltage
AlGaN
Dynamic performance
Dynamics characteristic
Enhancement mode
GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistor
Interface traps
Metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors
Neutral beam etching
Normally off
Recessed gate
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Yu Zhang
;
Renqiang Zhu
;
Haolan Qu
;
Yitian Gu
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)
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收藏
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浏览/下载:290/0
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提交时间:2024/06/11
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Dielectric materials
Drain current
Electric fields
Gallium nitride
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
MOSFET devices
Stability
Threshold voltage
Current collapse
Dynamic reliability assessment
Dynamics characteristic
Dynamics stability
MOS-FET
MOSFETs
Reference devices
Time resolved measurement
Trench MOSFET
Vertical trench MOSFET
Characteristics of Gas–Liquid Slug Flow in Honeycomb Microchannel Reactor
期刊论文
ENERGIES, 2022, 卷号: 15, 期号: 4
作者:
Jiang, Youkai
;
Zhang, Yaheng
;
Zhang, Jie
;
Tang, Zhiyong
Adobe PDF(4681Kb)
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提交时间:2022/03/04
Chemical reactors
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