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物质科学与技术学院 [2]
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作者
王子睿 [1]
赖晓春 [1]
李赫 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2025 [1]
2023 [1]
出处
JOURNAL OF... [1]
PHYSICAL C... [1]
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Electrical activities of sulfur dopants in GaAs introduced by self-assembled molecular monolayers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2025, 卷号: 137, 期号: 12
作者:
Fan, Zhengfang
;
Liu, Yumeng
Adobe PDF(2044Kb)
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提交时间：2025/04/14
Electric rectifiers
Gallium arsenide
Molecular docking
Molecules
Secondary ion mass spectrometry
Self assembled monolayers
Semiconducting gallium arsenide
Semiconductor doping
Silicon wafers
Surface discharges
Doping techniques
Electrical activities
GaAs
Hall measurements
Junction diode
Lows-temperatures
Molecular monolayer
Non destructive
Research focus
Secondary ion-mass spectrometry
Enhancing the photocatalytic efficiency of two-dimensional aluminum nitride materials through strategic rare earth doping
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2023, 卷号: 25, 期号: 37, 页码: 25442-25449
作者:
Yan, Weiyin
;
Yan, Yayu
;
Wang, Zirui
;
Li, Qiao-Hong
;
Zhang, Jian
Adobe PDF(1729Kb)
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提交时间：2023/10/16
Dysprosium compounds
Efficiency
III-V semiconductors
Light absorption
Molecular orbitals
Nitrides
Orbits
Photocatalytic activity
Rare earths
Semiconductor doping
Wide band gap semiconductors
Carrier recombination
Co-doping
Doping techniques
Higher efficiency
Oxidation capacity
Photocatalytic efficiency
Rare-earths doping
Recombination rate
Two-dimensional
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