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信息科学与技术学院 [2]
作者
寇煦丰 [1]
龚谦 [1]
刘晓阳 [1]
吴健初 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2024 [1]
2020 [1]
出处
JOURNAL OF... [1]
SCIENCE AD... [1]
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期刊影响因子升序
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The impact of
P
-type doping level and profile on performance of InAs quantum dot lasers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 136, 期号: 22
作者:
Liu, Ruo-Tao
;
Du, An-Tian
;
Cao, Chun-Fang
;
Yang, Jin
;
Wu, Jian-Chu
Adobe PDF(3215Kb)
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浏览/下载:222/4
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提交时间:2024/12/23
Aluminum arsenide
Continuous wave lasers
Gallium arsenide
Gallium phosphide
Indium antimonides
Indium arsenide
Indium phosphide
Nanocrystals
Photonic integrated circuits
Photonic integration technology
Q switched lasers
Quantum dot lasers
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor doping
Semiconductor quantum dots
System-on-chip
Threshold current density
Device performance
Doping levels
Doping profiles
InAs quantum dots
Output power
P-type doping
Performance
Quantum-dot lasers
Slope efficiencies
Threshold-current density
Probing the low-temperature limit of the quantum anomalous Hall effect
期刊论文
SCIENCE ADVANCES, 2020, 卷号: 6, 期号: 25, 页码: eaaz3595
作者:
Pan, Lei
;
Liu, Xiaoyang
;
He, Qing Lin
;
Stern, Alexander
;
Yin, Gen
Adobe PDF(2212Kb)
|
收藏
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浏览/下载:524/1
|
提交时间:2022/12/09
Temperature
Film thickness
Quantum Hall effect
Anomalous hall effects
Doping profiles
High temperature
Low temperature limit
Magnetic ordering temperatures
Material systems
Temperature regimes
Weak ferromagnetism
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