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1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：75/4  |  提交时间：2025/02/12
Arrayed terahertz vector measurement system based on AlGaN/GaN HEMT heterodyne mixer 期刊论文
HONGWAI YU JIGUANG GONGCHENG/INFRARED AND LASER ENGINEERING, 2024, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 166-175
作者:  Wang, Kaichu;  Ding, Qingfeng;  Zhou, Qi;  Cai, Xinhang;  Zhang, Jinfeng
收藏  |  浏览/下载：250/0  |  提交时间：2024/09/20
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