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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT 期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:  Yitai zhu;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu;  Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/1  |  提交时间：2025/03/07
Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Yu Zhang;  Xing Lu
Adobe PDF(4177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：279/0  |  提交时间：2024/04/06
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:  Yu Zhang;  Renqiang Zhu;  Haolan Qu;  Yitian Gu;  Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：291/0  |  提交时间：2024/06/11
Characterization of deep-level defects in highly-doped silicon with asymmetric structure by transient capacitance spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2023, 卷号: 58, 期号: 26, 页码: 10651-10659
作者:  Liu, Chixian;  Dou, Wei;  Pan, Changyi;  Yin, Ziwei;  Liu, Xiaoyan
Adobe PDF(1453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：215/0  |  提交时间：2023/07/14
Investigation of a minority carrier trap in a NiO/β-Ga2O3p–n heterojunction via deep-level transient spectroscopy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 105010
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Zhang, Ruohan
Adobe PDF(999Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：285/0  |  提交时间：2023/09/23
Emission and Capture Characteristics of Electron Trap (Eemi = 0.8eV) in Si-doped β-Ga2O3 Epilayer 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 015001
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Gu, Yitian
Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：413/0  |  提交时间：2022/11/08
High-speed Ge-on-GaAs photodetector 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2022, 卷号: 30, 期号: 12
作者:  Li, Linze;  Pan, Rui;  Xie, Zhiyang;  Lu, Yao;  Chen, Jiaxiang
Adobe PDF(9134Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：336/2  |  提交时间：2022/06/10
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