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物质科学与技术学院 [2]
作者
陆卫 [1]
郝修军 [1]
姜新洋 [1]
夏顺吉 [1]
于力 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2024 [1]
2020 [1]
出处
ELECTRONIC... [1]
INFRARED P... [1]
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Chinese Ac... [1]
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Elevating the performance of quantum well infrared detectors at 12.55 μm with an all-dielectric scheme
期刊论文
INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2024, 卷号: 141, 期号: 105470, 页码: 105470
作者:
Jiang, Xinyang
;
Liu, Weiwei
;
Xia, Hui
;
Yu, Li
;
Xin, Rui
Adobe PDF(2598Kb)
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浏览/下载:254/9
|
提交时间:2024/08/14
Quantum Well Infrared Photodetectors
III–V Semiconductors
Dark Current Density
Dielectric Grating Structure
Long Wavelength
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
|
收藏
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浏览/下载:249/0
|
提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
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