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信息科学与技术学院 [1]
作者
吴涛 [1]
杨雨梦 [1]
钱益军 [1]
文献类型
会议论文 [1]
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2024 [1]
出处
2024 8TH I... [1]
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WOS被引频次降序
Influence of Localized Hot Carrier Degradation in DSOI Device Operating in MOSFET and BJT Modes
会议论文
2024 8TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM), Bangalore, India, 3-6 March 2024
作者:
Yijun Qian
;
Yuan Gao
;
Amit Kumar Shukla
;
Tao Wu
;
Zhiqiang Mu
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提交时间:2024/05/17
Hot carrier degradation
DSOI
MOSFET
BJT
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