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A 28-nm 10.4-fJ/b Cryogenic embedded DRAM with 3T1C Gain Cell and MBIST at 4-Kelvin 会议论文
2024 21ST INTERNATIONAL SOC DESIGN CONFERENCE (ISOCC), Sapporo, Japan, 19-22 Aug. 2024
作者:  Jiapei Zheng;  Xinkai Nie;  Zhenghang Zhi;  Zhidong Tang;  Qi Liu
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eCIMC: A 603.1-TOPS/W eDRAM-Based Cryogenic In-Memory Computing Accelerator Supporting Boolean/Convolutional Operations 期刊论文
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-13
作者:  Yuhao Shu;  Hongtu Zhang;  Qi Deng;  Hao Sun;  Zhaodong Lv
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CSDB-eDRAM: A 16Kb Energy-Efficient 4T CSDB Gain Cell eDRAM with over 16.6s Retention Time and 49.23uW/Kb at 4.2K for Cryogenic Computing 会议论文
PROCEEDINGS - IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS, Monterey, CA, United states, May 21, 2023 - May 25, 2023
作者:  Yuhao Shu;  Hongtu Zhang;  Hao Sun;  Qi Deng
Adobe PDF(3186Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：188/0  |  提交时间：2023/09/08
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