×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
信息科学与技术学院 [2]
作者
哈亚军 [1]
吴涛 [1]
陈健 [1]
王昱棋 [1]
李嘉伟 [1]
张申 [1]
更多...
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2025 [1]
2023 [1]
出处
IEEE ELECT... [1]
IEEE TRANS... [1]
语种
英语 [2]
资助项目
National N... [1]
资助机构
收录类别
EI [2]
SCI [1]
SCOPUS [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
AlScN Ferroelectric Diode Enabled CAM with 4F2 Cell Size and Low Thermal Budget (330 °C)
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Wenxin Sun
;
Xiao Kou
;
Jiuren Zhou
;
Siying Zheng
;
Jiawei Li
Adobe PDF(1473Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:74/1
|
提交时间:2025/02/12
Ferroelectric devices
Ferroelectric materials
PIN diodes
Three dimensional integrated circuits
Cell design
Cell-size
Content-addressable memory
Data-intensive application
Effective approaches
Fe-diode
Footprint
Low thermal budget
Thermal
A Reliable and High-Speed 6T Compute-SRAM Design With Dual-Split-VDD Assist and Bitline Leakage Compensation
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2023, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 684-695
作者:
Yuqi Wang
;
Shen Zhang
;
Yifei Li
;
Jian Chen
;
Wenfeng Zhao
Adobe PDF(16375Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:473/1
|
提交时间:2023/03/15
Voltage
Random access memory
Discharges (electric)
Transistors
Throughput
Reliability engineering
Very large scale integration
Compute SRAM (CSRAM)
computing-in-memory (CIM)
configurable SRAM
content-addressable memory (CAM)
logic operation
read disturbance
首页
上一页
1
下一页
末页