消息
×
loading..
×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
物质科学与技术学院 [1]
作者
张家睿 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2023 [1]
出处
MATERIALS ... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
National N... [1]
Science an... [1]
Shanghai P... [1]
Strategic ... [1]
资助机构
收录类别
EI [1]
SCI [1]
状态
已发表 [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条，第1-1条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
300 mm integration of a scalable phase change material spacer by inductively coupled plasma etching
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 卷号: 164
作者:
Fang, Wencheng
;
Zheng, Jia
;
Zhang, Jiarui
;
Li, Chengxing
;
Wang, Ruobing
Adobe PDF(9718Kb)
|
收藏
|
浏览/下载：324/1
|
提交时间：2023/07/07
Efficiency
Inductively coupled plasma
Phase change materials
Phase change memory
Physical vapor deposition
Plasma etching
Anisotropic plasma etching
Aspect-ratio
Confined structures
Conformal deposition
Deposition technique
Heating efficiencies
Inductively coupled plasma etching
Phase-change memory
Physical vapour deposition
Reset currents
首页
上一页
1
下一页
末页
