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Efficient quasi-2D tin perovskite solar cells based on mixed monoammonium and diammonium terminal molecules
期刊论文
MATERIALS CHEMISTRY FRONTIERS, 2024
作者:
Zang, Zihao
;
Ma, Mingyu
;
Jiang, Xianyuan
;
Zhou, Wenjia
;
Seriwattanachai, Chaowaphat
Adobe PDF(3934Kb)
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提交时间:2024/04/12
Carrier mobility
Conversion efficiency
Film growth
Ligands
Perovskite
Perovskite solar cells
Carrier diffusion length
Carrier transport properties
Cell-based
Film orientations
Lead-free perovskites
Perovskite films
Power conversion efficiencies
Quasi-2d
Short diffusion lengths
Terminal ligands
Visualizing Carrier Diffusion in Cs-Doping FAPbI3 Perovskite Thin Films Using Transient Absorption Microscopy
期刊论文
ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2024, 卷号: 12, 期号: 18
作者:
Xie, Junhan
;
Zhou, Wei
;
Li, Haozheng
;
Wang, Ziyu
;
Jiang, Jiaming
Adobe PDF(2136Kb)
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浏览/下载:327/4
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提交时间:2024/06/07
Conversion efficiency
Diffusion
Dynamics
Open circuit voltage
Perovskite solar cells
Scanning electron microscopy
Semiconductor doping
Thin films
Carrier diffusion length
Carrier diffusions
Carrier transport dynamics
Cs-doping FAPbI3 perovskite
Perovskite thin films
Spatial and temporal carrier diffusion
Spatial temporals
Temporal carrier
Transient absorption
Transient absorption microscopy
High-member low-dimensional Sn-based perovskite solar cells
期刊论文
SCIENCE CHINA CHEMISTRY, 2023, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 459-465
作者:
Li, Hansheng
;
Zang, Zihao
;
Wei, Qi
;
Jiang, Xianyuan
;
Ma, Mingyu
Adobe PDF(1505Kb)
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提交时间:2023/03/10
onversion efficiency
Crystal orientation
Crystallization kinetics
Perovskite solar cells
Solar power generation
Thin films
Carrier diffusion length
Lead-free perovskite solar cell
Lead-free perovskites
Low dimensional
Low dimensional structure
Optoelectronics devices
Perovskite films
Quasi-2d
Sn-based perovskite
Thin film photovoltaics
One-Step Synthesis of SnI2·(DMSO)xAdducts for High-Performance Tin Perovskite Solar Cells
期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2021, 卷号: 143, 期号: 29, 页码: 10970-10976
作者:
Adobe PDF(4865Kb)
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提交时间:2021/12/03
Amorphous silicon
Cadmium telluride
Conversion efficiency
Coordination reactions
Crystal orientation
Dimethyl sulfoxide
Heavy metals
II
VI semiconductors
Morphology
Organic solvents
Perovskite
Thin film solar cells
Thin films
Tin compounds
Carrier diffusion length
Dimethyl sulfoxide (DMSO)
Electron diffusion length
Homogeneous structure
One step synthesis
Polycrystalline perovskite
Power conversion efficiencies
Precursor solutions
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
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浏览/下载:243/0
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提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
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