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Compensation of Hot Carrier Degradation Enabled by Forward Back Bias in π-GAA-π MOSFET
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2023, 卷号: 11, 页码: 319-324
作者:
Yijun Qian
;
Qiang Liu
;
Jialun Yao
;
Xiaowei Wang
;
Amit Kumar Shukla
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浏览/下载：455/2
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提交时间：2023/06/30
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
Leakage currents
MOSFET devices
Silicon on insulator technology
Aging compensation
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Biasing techniques
Forward back biasing technique
Hot carrier degradation
MOS-FET
MOSFETs
Off-state leakage current
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Silicon-on-insulator MOSFETs
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