消息
×
loading..
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
寇煦丰 [1]
唐志东 [1]
职正航 [1]
文献类型
会议论文 [1]
发表日期
2024 [1]
出处
2024 21ST ... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
资助机构
收录类别
EI [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
A 28-nm 10.4-fJ/b Cryogenic embedded DRAM with 3T1C Gain Cell and MBIST at 4-Kelvin
会议论文
2024 21ST INTERNATIONAL SOC DESIGN CONFERENCE (ISOCC), Sapporo, Japan, 19-22 Aug. 2024
作者:
Adobe PDF(1260Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:255/1
|
提交时间:2024/12/04
Associative storage
CMOS integrated circuits
Cryoelectric storage
Dynamic random access storage
Integrated circuit testing
Photons
Quantum electronics
Quantum optics
Radiation hardening
Static random access storage
Cryogenic memory
EDRAM
Embedded DRAM
Gain cell
Large-scales
Low Power
Power
Quantum Computing
Quantum error corrections
Quantum state detection
首页
上一页
1
下一页
末页