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研究单元&专题
物质科学与技术学院 [3]
作者
柳仲楷 [1]
杨辉 [1]
张帆 [1]
王开朴 [1]
庹欢 [1]
文献类型
期刊论文 [3]
发表日期
2024 [1]
2023 [2]
出处
APPLIED PH... [1]
JOURNAL OF... [1]
MATERIALS ... [1]
语种
英语 [3]
资助项目
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SCI [3]
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Nonsymmorphic symmetry protected nodal lines in layered topological semimetal Ta3GeTe6
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 124, 期号: 15
作者:
Ma, Xiang
;
Wang, Kaipu
;
Cao, Jin
;
Zheng, Bo
;
Zhao, Yiwei
Adobe PDF(2252Kb)
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收藏
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浏览/下载:431/71
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提交时间:2024/04/26
Crystal symmetry
Germanium alloys
Germanium compounds
Photoelectron spectroscopy
Single crystals
Tellurium compounds
Van der Waals forces
Angle resolved photoemission spectroscopy
As-grown
Electronic correlation
High quality
High symmetry
Nodal line
Potential device applications
Symmetry direction
Topological properties
Van der Waal
Secondary defects of as-grown oxygen precipitates in nitrogen doped Czochralski single crystal silicon
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 卷号: 163
作者:
Tuo, Huan
;
Liu, Yun
;
Li, Minghao
;
Dai, Rongwang
;
Wang, Hao
Adobe PDF(9508Kb)
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收藏
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浏览/下载:289/2
|
提交时间:2023/06/02
Chlorine compounds
Defects
Doping (additives)
Etching
Light scattering
Monocrystalline silicon
Nitrogen
Oxygen
Scanning electron microscopy
Single crystals
As-grown
As-grown oxygen precipitate
CZ silicon
Epitaxial layers growth
Localized lights
Nitrogen-doped
Nitrogen-doped czochralski
Oxygen precipitates
Secondary defect
Single crystal silicon
Significant effect of thin oxide layer on characteristics of p-InGaN/GaN nonalloyed ohmic contacts
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 卷号: 134, 期号: 5
作者:
Fan Zhang
;
Rongxin Wang
;
Fangzhi Li
;
Aiqin Tian
;
Jianping Liu
Adobe PDF(3352Kb)
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收藏
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浏览/下载:452/95
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提交时间:2023/08/18
Contact resistance
Electric contactors
Gallium compounds
III-V semiconductors
Metallorganic chemical vapor deposition
Oxygen
Room temperature
Schottky barrier diodes
X ray photoelectron spectroscopy
As-grown
Exposed to
High vacuum
InGaN/GaN
Metal-organic chemical vapour depositions
Multi-layers
Nonalloyed ohmic contact
p-InGaN
Specific contact resistances
Thin oxide layers
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