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	Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment 期刊论文 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148 作者: Zhu, Yitai; Zhang, Yu Adobe PDF(4805Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：316/3 \| 提交时间：2024/06/11 AlGaN/GaN HEMT O 2 plasma treatment Current collapse Threshold voltage shift Dynamic characteristic
	p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀期刊论文半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 06, 页码: 449-455 作者: 钱茹; 程新红; 郑理; 沈玲燕; 张栋梁 Adobe PDF(1926Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：518/0 \| 提交时间：2022/12/14 GaN 选择性刻蚀电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 AlGaN/GaN HEMT 刻蚀形貌

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