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研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
龚谦 [1]
林思维 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2022 [1]
出处
JOURNAL OF... [1]
语种
英语 [1]
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[2021YFB28... [1]
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Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 599
作者:
Lin, Si-Wei
;
Yan, Jin-Yi
;
Zhao, Xu-Yi
;
Yu, Wen-Fu
;
Gong, Qian
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提交时间：2022/11/08
A1. Characterization
A1. X-ray diffraction
A3. Molecular beam epitaxy
B2. Semiconducting III-V materials
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