中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:  Zhu, Yitai;  Zhang, Yu;  Qu, Haolan;  Gao, Han
Adobe PDF(4805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：311/3  |  提交时间：2024/06/11
Demonstration and modeling of frequency tripler based on GaN Schottky diode pair 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2022, 卷号: 125, 页码: 105464
作者:  Zhou, Junmin;  Guo, Haowen;  Gu, Yitian;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(3780Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：277/0  |  提交时间：2022/06/02
SiC emitters for nanoscale vacuum electronics: A systematic study of cathode-anode gap by focused ion beam etching 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS AND NANOMETER STRUCTURES, 2017, 卷号: 35, 期号: 3
作者:  Liu, Meng;  Li, Tie;  Wang, Yuelin
Adobe PDF(2219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：670/0  |  提交时间：2017/07/12
High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS AND NANOMETER STRUCTURES, 2016, 卷号: 34, 期号: 2
作者:  Chang, Yongwei;  Xue, Zhongying;  Chen, Da;  Cheng, Shi;  Zhang, Miao
Adobe PDF(1916Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：377/0  |  提交时间：2017/07/04
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页