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Device Design Assessment of GaN Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS-2018, Kanazawa, 2018-11-10至2018-11-17
作者:  Zhang YL(张玉良);  Zou XB(邹新波)
Adobe PDF(2742Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：435/0  |  提交时间：2018/12/20
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