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合作作者[TOP 5]

  • 徐科

    合作成果数：3

  • 张育民

    合作成果数：3

  • 王建峰

    合作成果数：3

  • 刘伟

    合作成果数：2

  • 孙远航

    合作成果数：2

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1. GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究 [444]
2. HVPE growth of bulk GaN with high conductivity for vertical device.. [418]
3. Unintentional Fe incorporation in the homo-epitaxy of GaN on Fe-do.. [76]
4. Ta-based Au-free and low annealing temperature ohmic contacts on G.. [44]

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1. Unintentional Fe incorporation in the homo-epitaxy of GaN on Fe-do.. [7]
2. HVPE growth of bulk GaN with high conductivity for vertical device.. [6]
3. Ta-based Au-free and low annealing temperature ohmic contacts on G.. [3]
4. GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究 [1]