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| 一种单斜晶系晶体材料及其制备方法 | |
| 申请号 | CN202310683283.3 |
| 2024-12-10 | |
| 公开（公告）号 | CN119101993A |
| 公开日期 | 2024-12-10 |
| 摘要 | 本发明公开一种单斜结构TiSe3晶体及其制备方法，属于新材料制备技术领域，晶体的晶胞参数为beta＝98.10(2)°，晶体的空间群为群为P21//m。本发明以单质钛与硒为原料，经混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程最终制得单斜相TiSe3晶体，其中Ti元素的原子百分比为25.4～25.7％，所述Se元素的原子百分比为74.6～74.3％，制备方法简单，制备周期短，且证实为TiSe3晶体为单相，无杂质及孪晶，另外该晶体表现出半导体导电行为，表明样品可以作为半导体器件的基材，且其带隙与已知优越半导体材料的带隙近似，具有良好的半导体应用前景。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | C30B29//46; C30B29//66; C30B1//12 |
| 专利有效性 | 审中 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 实质审查 |
| 简单同族 | CN119101993A |
| 扩展同族 | CN119101993A |
| INPADOC 同族 | CN119101993A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/455156 |
| 专题 | 物质科学与技术学院_PI研究组_郭艳峰组 物质科学与技术学院_博士生 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于振海,叶运观,袁健,等. 一种单斜晶系晶体材料及其制备方法. CN202310683283.3[P]. 2024-12-10. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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