| 一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法 |
| 申请号 | CN202410761985.3
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| 2024-08-20
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| 公开（公告）号 | CN118516650A
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| 公开日期 | 2024-08-20
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| 摘要 | 本发明涉及微纳加工技术领域，特别是一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法。所述制备方法至少包括：在衬底上采用直流磁控溅射的方式外延生长氮化铌薄膜，其中，所述氮化铌薄膜的制备条件如下：氮气和氩气质量流量比为0％～60％、生长温度为室温～800℃、生长气压为1～10mTorr、生长功率为50～500W、生长时间为10～4300s。本发明提供的制备方法可同时获得超薄、超导转变温度Tc超高、超低应力、性能稳定的NbN薄膜，解决以往技术仅有单个指标满足条件的难题，以适用于高难度器件研制。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学
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| 专利代理人 | 石应杰
; 许亦琳
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| 代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
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| 专利申请人 | 上海科技大学
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| 公开国别 | 中国
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| 公开国别简称 | CN
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| IPC 分类号 | C23C14//35; C23C14//06; C23C14//54
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| 专利有效性 | 审中
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| 专利类型 | 发明申请
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| 专利类型字典 | 1
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| 当前法律状态 | 实质审查
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| 简单同族 | CN118516650A
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| 扩展同族 | CN118516650A
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| INPADOC 同族 | CN118516650A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/411211
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| 专题 | 材料器件中心
物质科学与技术学院_特聘教授组_陆卫组
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| 作者单位 | 上海科技大学
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
宋艳汝,闫晓密,彭鹏飞,等. 一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法. CN202410761985.3[P]. 2024-08-20.
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