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超小中心距InGaAs探测器的制备需要降低探测器像元间的串音和探测器的暗电流。通过探索微台面InGaAs探测器制备工艺，成功制备了10μm和5μm中心距微台面InGaAs光敏芯片测试结构,并对其像元间的串音和探测器的暗电流进行了详细研究。研究结果表明当隔离沟槽刻蚀进入吸收层时微台面结构能有效抑制像元间的串音；但是由于在制备微台面器件过程中造成的材料损伤从而引起的复合电流和欧姆漏电流的增加会导致探测器暗电流增幅超过一个数量级。研究结果为制备超小中心距InGaAs焦平面探测器提供了新思路和启示。