一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法

	一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法
申请号	CN202310435228.2
	2023-06-23
公开（公告）号	CN116313756A
公开日期	2023-06-23
摘要	本发明提供一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法。植入氧原子的方法包括：将表面镀有氧化物层的单晶硅进行氦离子辐照并直写图形，氧化物层中的氧原子受氦离子动能转移被牵引植入单晶硅表层形成氧化硅。硅纳米沟道的制备方法步骤包括：1)采用在单晶硅表层植入氧原子的方法获得氦离子束直写图形后的氧化硅图形；2)对氧化硅图形进行化学湿法刻蚀。本发明英文名称为siliconhighaspectnano‑groovesviaHe+annealingimplantation，简称SHANG‑HAI工艺。检测方法：在化学湿法刻蚀之前，采用镓离子束刻蚀出氧化硅图形的垂直截面。本发明能够在单晶硅表面加工制备出线宽只有10nm或更小，深宽比达10或以上的硅纳米沟道。
当前权利人	上海科技大学
专利代理人	金彦 ; 许亦琳
代理机构	上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
专利申请人	上海科技大学
	高珍; 张超; 王宏达
公开国别	中国
公开国别简称	CN
IPC 分类号	H01L21//225; H01L21//265; H01L21//311; H01L21//66; B82Y40//00
专利有效性	审中
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	实质审查
简单同族	CN116313756A
扩展同族	CN116313756A
INPADOC 同族	CN116313756A
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/310330
专题	物质科学与技术学院_公共科研平台_软纳米材料制备平台物质科学与技术学院_PI研究组_王宏达组
作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	高珍,张超,王宏达. 一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法. CN202310435228.2[P]. 2023-06-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米（1435KB）	专利		限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文