液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究
其他题名Characterization of As Ion Implantation and Activation in LPE-grown HgCdTe
2023
发表期刊半导体光电
ISSN1001-5868
卷号44期号:4页码:568-572
发表状态正式接收
DOI10.16818/j.issn1001-5868.2023030601
摘要As在HgCdTe材料中具有较小的扩散系数,可以形成较为稳定的结构,广泛应用于HgCdTe的p型掺杂.在p-on-n型碲镉汞红外探测器的制备中As掺杂是重要的制备方法.针对在制备过程中存在无法精确测量As激活率的问题,提出采用低温弱p型退火辅助差分霍尔测试的方法,获得了载流子浓度分布,从而通过与SIMS测试结果对比得到长、中波液相外延HgCdTe样品中As的激活率,并分析了退火等工艺对As掺杂后激活率的影响.
关键词液相外延 碲镉汞 As离子注入 激活率 弱p型退火
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收录类别北大核心
语种中文
原始文献类型Periodical
来源库WanFang
文献类型期刊论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/303044
专题信息科学与技术学院_硕士生
通讯作者林春
作者单位
1.中国科学院上海技术物理研究所
2.上海科技大学
第一作者单位上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
卢致超,林春,王溪,等. 液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究[J]. 半导体光电,2023,44(4):568-572.
APA 卢致超,林春,王溪,李珣,&孙权志.(2023).液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究.半导体光电,44(4),568-572.
MLA 卢致超,et al."液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究".半导体光电 44.4(2023):568-572.
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