| 液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究 |
| 其他题名 | Characterization of As Ion Implantation and Activation in LPE-grown HgCdTe
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| 2023
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| 发表期刊 | 半导体光电
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| ISSN | 1001-5868
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| 卷号 | 44期号:4页码:568-572 |
| 发表状态 | 正式接收
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| DOI | 10.16818/j.issn1001-5868.2023030601
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| 摘要 | As在HgCdTe材料中具有较小的扩散系数,可以形成较为稳定的结构,广泛应用于HgCdTe的p型掺杂.在p-on-n型碲镉汞红外探测器的制备中As掺杂是重要的制备方法.针对在制备过程中存在无法精确测量As激活率的问题,提出采用低温弱p型退火辅助差分霍尔测试的方法,获得了载流子浓度分布,从而通过与SIMS测试结果对比得到长、中波液相外延HgCdTe样品中As的激活率,并分析了退火等工艺对As掺杂后激活率的影响. |
| 关键词 | 液相外延
碲镉汞
As离子注入
激活率
弱p型退火
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| URL | 查看原文
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| 收录类别 | 北大核心
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| 语种 | 中文
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| 原始文献类型 | Periodical
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| 来源库 | WanFang
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/303044
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| 专题 | 信息科学与技术学院_硕士生
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| 通讯作者 | 林春 |
| 作者单位 | 1.中国科学院上海技术物理研究所
2.上海科技大学
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| 第一作者单位 | 上海科技大学
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
卢致超,林春,王溪,等. 液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究[J].
半导体光电,2023,44(4):568-572.
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| APA |
卢致超,林春,王溪,李珣,&孙权志.(2023).液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究.半导体光电,44(4),568-572.
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| MLA |
卢致超,et al."液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究".半导体光电 44.4(2023):568-572.
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