聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响
其他题名Effects of FIB Preparation Conditions on TEM Sample Morphology
2023-01-03
发表期刊半导体技术
ISSN2023-01-03
卷号48期号:1页码:25-30
发表状态已发表
DOI10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.01.004
摘要

聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB的电子束或离子束等制样条件可能对样品带来的损伤。通过实验发现,FIB的离子束能量对TEM样品热损伤影响较小,电子束的电压和电流是引起样品损伤的主要因素。实验证明,在电子束辅助沉积保护层时适当降低电子束的电压和电流,可有效改善样品的微观形貌。

关键词透射电子显微镜(TEM) 制样 失效分析 聚焦离子束(FIB) 热损伤 电子束辅助沉积 保护层
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收录类别北大核心
语种中文
原始文献类型Periodical
来源库CNKI
文献类型期刊论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/295971
专题信息科学与技术学院
信息科学与技术学院_PI研究组_吴涛组
信息科学与技术学院_硕士生
作者单位
1.上海华力集成电路制造有限公司
2.上海科技大学信息科学与技术学院
第一作者单位信息科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
孙紫涵,李明,高金德,等. 聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响[J]. 半导体技术,2023,48(1):25-30.
APA 孙紫涵,李明,高金德,&吴涛.(2023).聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响.半导体技术,48(1),25-30.
MLA 孙紫涵,et al."聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响".半导体技术 48.1(2023):25-30.
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