一种发光二极管及发光装置

KMS > 材料器件中心

	一种发光二极管及发光装置
翻译题名	The invention relates to a light emitting diode and a light emitting device
申请号	CN202211483787.2
	2023-04-04
公开（公告）号	CN115911211A
公开日期	2023-04-04
摘要	本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管的电极结构形成在外延结构的第一表面侧，该第一表面为出光面。电极结构包括位于外延结构的第一表面上方的第一部分，以及沿所述第三方向自第一部分延伸至外延结构的第二部分，其中，在第三方向上，第二部分高于第一表面，使得第一部分与第一表面之间具有一空隙，即，电极结构中仅第二部分与外延结构接触，第一部分并不覆盖外延结构。第一部分在第一表面上的第一投影面积大于第二部分在第一表面上的第二投影面积，例如电极结构可以形成为在第三方向上的投影呈“T”型的结构。这样就减少了电极的覆盖面积，减少了对外延结构发光的光的阻挡及吸收，能够增加发光二极管的出光效率。
翻译摘要	The invention provides a light-emitting diode and a light-emitting device. An electrode structure of the light-emitting diode is formed on a first surface side of an epitaxial structure, and the first surface is a light-emitting surface. The electrode structure includes a first portion located over the first surface of the epitaxial structure, And a second portion extending from the first portion to the epitaxial structure along the third direction, wherein in the third direction, the second portion is higher than the first surface such that a gap exists between the first portion and the first surface, i.e., only the second portion of the electrode structure is in contact with the epitaxial structure, and the first portion does not cover the epitaxial structure. A first projection area of the first portion on the first surface is larger than a second projection area of the second portion on the first surface. for example, the electrode structure may be formed in a T-shaped projection in the third direction. The first projection area of the first portion on the first surface is larger than the second projection area of the second portion on the first surface. Therefore, the covering area of the electrode is reduced, the blocking and absorption of the light emitted by the epitaxial structure are reduced, and the light-emitting efficiency of the light-emitting diode can be improved.
当前权利人	上海科技大学
专利代理人	许亦琳 ; 余明伟
代理机构	上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
专利申请人	上海科技大学
	闫晓密; 宋艳汝; 方维政; 彭鹏飞; 徐旭光; 陆卫
公开国别	中国
公开国别简称	CN
IPC 分类号	H01L33//38
专利有效性	审中
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	实质审查
简单同族	CN115911211A
扩展同族	CN115911211A
INPADOC 同族	CN115911211A
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/294718
专题	材料器件中心物质科学与技术学院物质科学与技术学院_特聘教授组_陆卫组
作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	闫晓密,宋艳汝,方维政,等. 一种发光二极管及发光装置. CN202211483787.2[P]. 2023-04-04.