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Study of Traps in p-GaN Gate HEMT by Optical DLTS
2021
会议录名称PHOTONICS IN CHEMICAL PHYSICS (PICP 2021)
发表状态已发表
会议名称2021 PHOTONICS IN CHEMICAL PHYSICS, PICP 2021
文献类型会议论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/286844
专题信息科学与技术学院_硕士生
信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组
信息科学与技术学院_博士生
通讯作者Zou, Xinbo
作者单位
上海科技大学
第一作者单位上海科技大学
通讯作者单位上海科技大学
第一作者的第一单位上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
Chen, Jiaxiang,Qu, Haolan,Zou, Xinbo. Study of Traps in p-GaN Gate HEMT by Optical DLTS[C],2021.
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