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一种HKUST-1晶体的制备方法
申请号CN202110672509.0
2022-12-20
公开(公告)号CN115490868A
公开日期2022-12-20
摘要本发明提供一种HKUST‑1晶体的制备方法,包括如下步骤:将Cu(NO3)2·3H2O和PVP在有机溶剂中混合,加入均苯三甲酸的有机溶液,经反应获得所述HKUST‑1晶体。本发明方法操作简单,能够有效控制HKUST‑1的粒径,可以大规模合成需要尺寸的HKUST‑1。通过本申请这种技术方法能够大规模合成粒径为50nm~850nm的粒径均一且晶型良好的HKUST‑1。
当前权利人上海科技大学
专利代理人高燕 ; 许亦琳
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
专利申请人上海科技大学
公开国别中国
公开国别简称CN
IPC 分类号C08G83//00
专利有效性有效
专利类型发明申请
专利类型字典1
当前法律状态授权
授权公告日2023-12-01
授权公开(公告)号CN115490868B
简单同族CN115490868A
扩展同族CN115490868A
INPADOC 同族CN115490868A
文献类型专利
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/258946
专题物质科学与技术学院_PI研究组_章跃标组
物质科学与技术学院_博士生
作者单位
上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
章跃标,贺海龙,刘杉,等. 一种HKUST-1晶体的制备方法. CN202110672509.0[P]. 2022-12-20.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
一种HKUST-1晶体的制备方法.pdf(4047KB)专利 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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