| 一种HKUST-1晶体的制备方法 |
申请号 | CN202110672509.0
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| 2022-12-20
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公开(公告)号 | CN115490868A
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公开日期 | 2022-12-20
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摘要 | 本发明提供一种HKUST‑1晶体的制备方法,包括如下步骤:将Cu(NO3)2·3H2O和PVP在有机溶剂中混合,加入均苯三甲酸的有机溶液,经反应获得所述HKUST‑1晶体。本发明方法操作简单,能够有效控制HKUST‑1的粒径,可以大规模合成需要尺寸的HKUST‑1。通过本申请这种技术方法能够大规模合成粒径为50nm~850nm的粒径均一且晶型良好的HKUST‑1。 |
当前权利人 | 上海科技大学
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专利代理人 | 高燕
; 许亦琳
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代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
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专利申请人 | 上海科技大学
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公开国别 | 中国
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公开国别简称 | CN
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IPC 分类号 | C08G83//00
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专利有效性 | 有效
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专利类型 | 发明申请
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专利类型字典 | 1
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当前法律状态 | 授权
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授权公告日 | 2023-12-01
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授权公开(公告)号 | CN115490868B
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简单同族 | CN115490868A
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扩展同族 | CN115490868A
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INPADOC 同族 | CN115490868A
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/258946
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专题 | 物质科学与技术学院_PI研究组_章跃标组 物质科学与技术学院_博士生
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作者单位 | 上海科技大学
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
章跃标,贺海龙,刘杉,等. 一种HKUST-1晶体的制备方法. CN202110672509.0[P]. 2022-12-20.
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