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| InP基PIN开关二极管结构设计与制备 | |
| 其他题名 | Structural design andfabrication of InP-based PIN switching diode |
| 2017 | |
| 发表期刊 | 电子测量技术 |
| ISSN | 1002-7300 |
| 卷号 | 40期号:11页码:21-24 |
| DOI | 10.3969/j.issn.1002-7300.2017.11.005 |
| 摘要 | 开关二极管是微波控制电路中的一种应用最普遍的控制器件,它可以实现近似短路和开路的功能.Ⅰ层厚度对PIN二极管的器件特性具有重要的影响.利用Silvaco TCAD软件对InP基PIN开关二极管器件结构进行建模仿真,分析不同1区厚度对二极管的电流电压特性的影响,得出最优值.利用化合物半导体材料外延与器件工艺平台,制备出InP基PIN开关二极管器件,直流特性测试结果表明,PIN开关二极管的开启电压为0.525 V,反向击穿电压大于12 V.为进一步实现毫米波开关电路奠定了基础. |
| 关键词 | PIN 开关二极管 InP Ⅳ特性 物理模型 |
| URL | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | Periodical |
| 来源库 | WanFang |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255831 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_博士生 信息科学与技术学院_特聘教授组_孙晓玮组 信息科学与技术学院_硕士生 材料器件中心 |
| 作者单位 | 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050; 2.上海科技大学 上海201210 |
| 第一作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵艺丹,孙浩,张祁莲,等. InP基PIN开关二极管结构设计与制备[J]. 电子测量技术,2017,40(11):21-24. |
| APA | 赵艺丹,孙浩,张祁莲,&孙晓玮.(2017).InP基PIN开关二极管结构设计与制备.电子测量技术,40(11),21-24. |
| MLA | 赵艺丹,et al."InP基PIN开关二极管结构设计与制备".电子测量技术 40.11(2017):21-24. |
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