半导体碳纳米管的长度分选及其薄膜晶体管性能研究
2021-06-15
发表期刊半导体光电
ISSN1001-5868
卷号42期号:03页码:348-352
发表状态已发表
DOI10.16818/j.issn1001-5868.2021.03.009
摘要

半导体型碳纳米管薄膜的高质量制备及其优化对于碳纳米管基电子器件具有重要意义。其中半导体型碳纳米管的长度是影响薄膜质量的重要因素之一。文章通过聚[9-(1-辛酰基)-9H-咔唑-2,7-二基](PCz)成功制备了高纯度半导体型碳纳米管溶液,经过循环沉积工艺,高效地降低了分散液中的短碳管含量,有效地提升了半导体型碳纳米管的平均长度,在此基础上通过标准工艺成功制备了高性能碳纳米管薄膜晶体管。结果显示,优化后的长碳纳米管溶液制备的薄膜晶体管具有优异的电学性能,其开关比高达107,迁移率高达34cm~2·V~(-1)·s~(-1),比相应的短管性能提升了3倍。

关键词半导体型碳纳米管 管长分选 薄膜 薄膜晶体管
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收录类别北大核心
语种中文
原始文献类型学术期刊
中图分类号TB383.2;TN321.5
文献类型期刊论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255112
专题物质科学与技术学院_硕士生
物质科学与技术学院_特聘教授组_李清文组
作者单位
1.中国科学院上海高等研究院;
2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
3.上海科技大学;
4.中国科学院大学
第一作者单位上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
姚建,邱松,金赫华,等. 半导体碳纳米管的长度分选及其薄膜晶体管性能研究[J]. 半导体光电,2021,42(03):348-352.
APA 姚建,邱松,金赫华,&李清文.(2021).半导体碳纳米管的长度分选及其薄膜晶体管性能研究.半导体光电,42(03),348-352.
MLA 姚建,et al."半导体碳纳米管的长度分选及其薄膜晶体管性能研究".半导体光电 42.03(2021):348-352.
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