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提出了一种光泵浦太赫兹探测技术的改进方案，使用双色飞秒激光场电离空气诱导等离子体辐射的超短宽带太赫兹脉冲作为探测脉冲，表征了硅的光激发动力学，通过表征过程验证了基于所提改进方案的光泵浦太赫兹探测系统的性能。硅的泵浦深度随泵浦功率的增加而提高，400 nm泵浦光的泵浦深度大于800 nm泵浦光。使用400 nm泵浦光，p掺杂硅的泵浦深度最大，本征硅次之，n掺杂硅最小；而使用800 nm泵浦光，p掺杂硅的泵浦深度最大，n掺杂硅次之，本征硅最小。此外，基于探测脉冲的超宽带宽和超短脉宽，还观测到了p掺杂硅中的亚皮秒激发态声子波包振荡。