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| 无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法 | |
| 申请号 | CN202210930415.3 |
| 2022-12-09 | |
| 公开（公告）号 | CN115458002A |
| 公开日期 | 2022-12-09 |
| 摘要 | 本发明涉及一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法，包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层，反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的，控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向，可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态，所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。利用直流电流调控一种反铁磁装置的Néel矢量，实现数据写入，提高存储单元阵列排列密度，节约能耗。该垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，具有更高的磁矩翻转速度，并具有更好的存储稳定性，同时具有结构简单、速度快、抗杂散场扰动、非易失性的优点，本存储单元尤其在读写速度上更快。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 翁若莹 ; 徐颖 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | G11C11//16 |
| 专利有效性 | 审中 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 实质审查 |
| 简单同族 | CN115458002A |
| 扩展同族 | CN115458002A |
| INPADOC 同族 | CN115458002A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/251976 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_硕士生 信息科学与技术学院_PI研究组_祝智峰组 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祝智峰,徐正德,任杰,等. 无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法. CN202210930415.3[P]. 2022-12-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其（523KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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