无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法
申请号CN202210930415.3
2022-12-09
公开(公告)号CN115458002A
公开日期2022-12-09
摘要本发明涉及一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法,包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层,反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的,控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向,可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态,所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。利用直流电流调控一种反铁磁装置的Néel矢量,实现数据写入,提高存储单元阵列排列密度,节约能耗。该垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元,具有更高的磁矩翻转速度,并具有更好的存储稳定性,同时具有结构简单、速度快、抗杂散场扰动、非易失性的优点,本存储单元尤其在读写速度上更快。
当前权利人上海科技大学
专利代理人翁若莹 ; 徐颖
代理机构上海申汇专利代理有限公司 31001
专利申请人上海科技大学
公开国别中国
公开国别简称CN
IPC 分类号G11C11//16
专利有效性审中
专利类型发明申请
专利类型字典1
当前法律状态实质审查
简单同族CN115458002A
扩展同族CN115458002A
INPADOC 同族CN115458002A
文献类型专利
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/251976
专题信息科学与技术学院_硕士生
信息科学与技术学院_PI研究组_祝智峰组
作者单位
上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
祝智峰,徐正德,任杰,等. 无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法. CN202210930415.3[P]. 2022-12-09.
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