一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法
申请号CN202111543858.9
2022-04-29
公开(公告)号CN114421641A
公开日期2022-04-29
摘要

本发明提供了一种低辐射的电场耦合器,其特征在于,原边高压极板被副边低压极板所包裹,由副边低压极板对原边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果;副边高压极板被原边低压极板所包裹,由原边低压极板对副边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果。本发明的另一个技术方案是提供了一种上述的电场耦合器的补偿电路设计方法。本发明用低压极板包裹住了高压极板,可以形成静电屏蔽效果,与外界环境隔离,极大降低辐射强度。同时本发明在补偿电路的设计上基于等效六电容模型设计了新的补偿电路,即对等效六电容模型进行谐振补偿,最终只留下相对较小容值的交叉互电容,极大地简化了电路的分析量。

当前权利人上海科技大学
专利代理人翁若莹 ; 柏子雵
代理机构上海申汇专利代理有限公司 31001
专利申请人上海科技大学
公开国别CN
公开国别简称CN
IPC 分类号H02J50//12 ; H02J50//70
专利有效性审中
专利类型发明申请
专利类型字典1
当前法律状态实质审查
简单同族CN114421641A
扩展同族CN114421641A
INPADOC 同族CN114421641A
文献类型专利
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/173757
专题信息科学与技术学院_本科生
信息科学与技术学院_PI研究组_傅旻帆组
信息科学与技术学院_硕士生
作者单位
上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
高士齐,尹毅明,傅旻帆,等. 一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法. CN202111543858.9[P]. 2022-04-29.
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