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| 基于晶体管结构的量子点近红外光电探测器及其制备方法 | |
| 申请号 | CN202111383318.9 |
| 2022-03-29 | |
| 公开（公告）号 | CN114256377A |
| 公开日期 | 2022-03-29 |
| 摘要 | 本发明提供了一种基于晶体管结构的量子点近红外光电探测器及其制备方法，本发明的量子点近红外光电探测器从下到上依次包括导电基底层、ZnO薄膜、红外量子点层、掺杂ZnO薄膜和金属电极。所述的量子点近红外光电探测器的制备方法，包括对导电基底层进行氧等离子体预处理，制备ZnO薄膜，制备量子点红外吸收层，制备掺杂ZnO薄膜和蒸镀金属电极。所述的量子点红外光电探测器同时具有量子效率高(800％)和低暗电流低的优点，在近红外光电探测领域具有广阔的应用前景。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 翁若莹 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | CN |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | H01L31//108 ; H01L31//0352 ; H01L31//18 |
| 专利有效性 | 失效 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 撤回 |
| 简单同族 | CN114256377A |
| 扩展同族 | CN114256377A |
| INPADOC 同族 | CN114256377A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/165045 |
| 专题 | 物质科学与技术学院_PI研究组_宁志军组 物质科学与技术学院_硕士生 物质科学与技术学院_博士生 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁志军,柯亮,徐凯敏. 基于晶体管结构的量子点近红外光电探测器及其制备方法. CN202111383318.9[P]. 2022-03-29. |
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