元素计量比可调的二维层状卤氧化铋材料及其制备方法与在紫外探测器上的应用

	元素计量比可调的二维层状卤氧化铋材料及其制备方法与在紫外探测器上的应用
申请号	CN202111459721.5
	2022-03-08
公开（公告）号	CN114150379A
公开日期	2022-03-08
摘要	本发明涉及半导体光电材料技术领域，主要是元素计量比可调的二维层状卤氧化铋材料及其制备方法与在紫外探测器上的应用。本发明使用简易、低成本炉管，以化学气相沉积法制备化学计量比为1 : 1 : 1的卤氧化铋材料，再使用炉管对样品作高温相转化，制备不同铋//氧//氯(碘)元素计量比的其他样品；其中铋//氧//氯三者化学计量比为3 : 4 : 1的Bi3O4Cl样品，具有优秀的光电流开关比和指定光谱光感响应度，在目前的紫外光电探测材料市场中具有一定的商业化潜力。本发明所述的Bi3O4Cl样品制备方法，Bi3O4Cl样品可被转到其他具商业应用价值的基板上，因此有更广泛、多元的紫外探测应用价值。
当前权利人	上海科技大学
专利代理人	许亦琳 ; 余明伟
代理机构	上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
专利申请人	上海科技大学
	王宏达; 侯炳森; 付明辉; 于奕; 翟文博; 翁祖谦; 豆宏斌; 武聪聪; 吴楠; 孟玮; 张卓
公开国别	CN
公开国别简称	CN
IPC 分类号	C30B29//10 ; C30B29//64 ; C30B25//16 ; C30B25//18 ; H01L31//032 ; H01L31//18
专利有效性	失效
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	驳回
简单同族	CN114150379A
扩展同族	CN114150379A
INPADOC 同族	CN114150379A
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/159563
专题	大科学中心_PI研究组_翁祖谦组物质科学与技术学院_PI研究组_王宏达组物质科学与技术学院_PI研究组_于奕组物质科学与技术学院_硕士生物质科学与技术学院_博士生
作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王宏达,侯炳森,付明辉,等. 元素计量比可调的二维层状卤氧化铋材料及其制备方法与在紫外探测器上的应用. CN202111459721.5[P]. 2022-03-08.