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一种低成本的压电谐振器//传感器封装工艺方法 | |
翻译题名 | Low-cost piezoelectric resonator//sensor packaging process method |
申请号 | CN201810046581.0 |
2018-01-17 | |
公开(公告)号 | CN108281363A |
公开日期 | 2018-07-13 |
摘要 | 本发明涉及一种低成本的压电谐振器//传感器封装工艺方法。本发明在现成的氮化铝兰姆波谐振器AlN Lame mode resonator器件上采用Si、Ge、SiGe等四族材料作为牺牲层材料,氧化硅或者氮化硅薄膜作为封装结构层,在氮化铝谐振器器件完全释放后,沉积SU‑8高分子材料进行密封封装,全套工艺在400℃完成,与现行CMOS工艺完全兼容而且成本低,封装层的厚度有二氧化硅和SU‑8层共同决定,可以出现10微米以下的封装层,适合流体等高灵敏度环境下使用。经测试,封装后的器件在去离子水环境里性能没有明显变化。 |
翻译摘要 | The invention relates to a low-cost piezoelectric resonator//sensor packaging process method. According to the method, four materials such as Si, Ge and SiG serve as sacrificial layer materials on an existing aluminum nitride lamb wave resonator device, a silicon oxide or silicon nitride film serves as a packaging structure layer, hermetic packaging is performed by the aid of deposited SU-8 high-molecular materials after an aluminum nitride resonator device is completely released, a whole process is completed at the temperature of 400 DEG C, the method is compatible with an existing CMOS ( complementary metal-oxide-semiconductor transistor) process and low in cost, the thickness of a packaging layer is corporately decided by silicon dioxide and an SU-8 layer, a packaging layer lower than 10micrometers can be achieved, and the method is suitable for use in high-sensitivity environments such as of fluid. A test shows that the performance of a packaged device is not obviously changed in deionized water environments. |
当前权利人 | 上海科技大学 |
专利代理人 | 翁若莹 ; 柏子雵 |
代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 |
专利申请人 | 上海科技大学 |
公开国别 | 中国 |
公开国别简称 | CN |
IPC 分类号 | H01L21//56; H03H3//02; G01L1//16 |
CPC分类号 | G01L1//16; H01L21//56; H03H3//02 |
专利有效性 | 有效 |
专利类型 | 发明申请 |
专利类型字典 | 1 |
当前法律状态 | 授权 |
授权公告日 | 2020-04-14 |
授权公开(公告)号 | CN108281363B |
简单同族 | CN108281363B; CN108281363A |
扩展同族 | CN108281363A; CN108281363B |
INPADOC 同族 | CN108281363A; CN108281363B |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/127404 |
专题 | 信息科学与技术学院_PI研究组_吴涛组 |
作者单位 | 上海科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴涛. 一种低成本的压电谐振器//传感器封装工艺方法. CN201810046581.0[P]. 2018-01-17. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 |
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