低功耗新型静态随机存取存储器的存储单元及应用

	低功耗新型静态随机存取存储器的存储单元及应用
翻译题名	Storage unit of novel low-power-consumption static random access memory and application thereof
申请号	CN201910916322.3
	2019-09-26
公开（公告）号	CN110970071A
公开日期	2020-04-07
摘要	本发明提供了一种低功耗新型静态随机存取存储器的存储单元，其特征在于，包括五条字线及四条位线，五条字线分别为字线一、字线二、字线三、字线四及字线5，四条位线分别为位线一、位线二、位线三及位线四。本发明的结构与最先进的技术相比，能耗缩小为原来的24.5％，并具体具有如下优点：利用了cmos沟道电流和栅极电压成正相关的特点，以及用一组模拟电压值作为栅极电压驱动SRAM的结果是，在相同的开启时间中，位线上的电压模拟值代表了乘法的结果。
翻译摘要	The invention provides a storage unit of a novel low-power-consumption static random access memory, which is characterized by comprising five word lines and four bit lines, the five word lines are respectively a word line I, a word line II, a word line III, a word line IV and a word line 5, and the four bit lines are respectively a bit line I, a bit line II, a bit line III and a bit line IV. Compared with the most advanced technology, energy consumption is reduced to 24.5/% of original energy consumption, and the method has the advantages that the characteristic that cmos channel current and grid voltage are positively correlated is utilized, and a set of analog voltage values serve as the result of driving a SRAM through the grid voltage, so that in the same starting time, the voltage analog value on the bit line represents the multiplication result.
当前权利人	上海科技大学
专利代理人	翁若莹 ; 柏子雵
代理机构	上海申汇专利代理有限公司 31001
专利申请人	上海科技大学
	王昱棋; 哈亚军
公开国别	中国
公开国别简称	CN
IPC 分类号	G11C11//418; G11C11//419
CPC分类号	G11C11//418; G11C11//419
专利有效性	有效
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	授权
授权公告日	2022-07-05
授权公开（公告）号	CN110970071B
简单同族	CN110970071A; WO2021057114A1
扩展同族	WO2021057114A1; CN110970071A
INPADOC 同族	WO2021057114A1; CN110970071A
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/127209
专题	信息科学与技术学院_硕士生信息科学与技术学院_PI研究组_哈亚军组
作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王昱棋, 哈亚军. 低功耗新型静态随机存取存储器的存储单元及应用. CN201910916322.3[P]. 2019-09-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
低功耗新型静态随机存取存储器的存储单元及（388KB）	专利		限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文