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| 一种低温MOSFET温度连续特性的预测方法及其模型 专利
申请号:CN202510225122.9，申请日期: 2025-06-17，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 寇煦丰 ; 辛玥; 何畅; 王泽伟
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| Generic Cryogenic CMOS Device Modeling and EDA-Compatible Platform for Reliable Cryogenic IC Design 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2025, 卷号: 13, 页码:
117-127
作者: Zhidong Tang; Zewei Wang; Yumeng Yuan; Chang He; Xin Luo
Adobe PDF(10435Kb) | 收藏 | 浏览/下载：105/1 | 提交时间：2025/03/03
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| 一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统 专利
申请号:CN202411163604.8，申请日期: 2024-12-27，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 寇煦丰; 辛玥; 王泽伟; 唐志东
Adobe PDF(989Kb) | 收藏 | 浏览/下载：178/1 | 提交时间：2024/12/27 |
| 一种建立低温CMOS集约模型的方法 专利
申请号:CN202411249778.6，申请日期: 2024-12-27，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 寇煦丰; 何畅; 王泽伟; 唐志东
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| Cryo-CMOS Model-Enabled 8-Bit Current Steering DAC Design for Quantum Computing 会议论文
2022 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), Austin, TX, USA, 27 May-1 June 2022
作者: Hu, Yongqi; Wang, Zewei; Chen, Renhe; Tang, Zhidong; Guo, Ao
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| Cryogenic CMOS RF Device Modeling for Scalable Quantum Computer Design 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2022, 卷号: 10
作者: Zhidong Tang; Zewei Wang; Ao Guo; Linlin Liu; Chengwei Cao
Adobe PDF(3429Kb) | 收藏 | 浏览/下载：696/5 | 提交时间：2022/07/25 |
| Designing EDA-Compatible Cryogenic CMOS Platform for Quantum Computing Applications 会议论文
2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM), Chengdu, PEOPLES R CHINA, APR 08-11, 2021
作者: Zewei Wang; Chengwei Cao; Puqing Yang; Yumeng Yuan; Zhidong Tang
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| Temperature-Driven Gate Geometry Effects in Nanoscale Cryogenic MOSFETs 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 卷号: 41, 期号: 5
作者:
Adobe PDF(567Kb) | 收藏 | 浏览/下载：975/21 | 提交时间：2020/03/29 |
