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作者:郭好文
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Enhanced linearity of AlGaN/GaN HEMTs via dual-gate configuration for RF amplifier applications
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2025, 卷号: 227
作者:
Guo, Haowen
;
Ye, Wenbo
;
Zhou, Junmin
;
Gu, Yitian
;
Gao, Han
Adobe PDF(4152Kb)
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浏览/下载:41/1
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提交时间:2025/05/12
AlGaN/GaN HEMT
Dual gate
Output-referred third-order intercept point (OIP3)
RF linearity
Third-order intermodulation (IM3)
Electrical Transport at n-Ga2O3/n-SiC Hetero-Interface Constructed by Hydrophilic and Surface Activated Bonding
会议论文
2025 9TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM), Hong Kong, Hong Kong, 9-12 March 2025
作者:
Zhenyu Qu
;
Wenhui Xu
;
Haodong Jiang
Adobe PDF(422Kb)
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浏览/下载:14/1
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提交时间:2025/07/07
1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: 1035-1040
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)
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浏览/下载:90/5
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提交时间:2025/02/12
Distributed feedback lasers
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Junction gate field effect transistors
Leakage currents
Monolithic microwave integrated circuits
Noise figure
Enhancement-mode
Gallium nitride
High electron-mobility transistors
Low noiseamplifier
Low-noise amplifier
Metala sem-iconductor high-electron-mobility transistor (MOSHEMT)
MOSHEMT
MOSHEMTs
Neutral beam etching
1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications
会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(197Kb)
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2025/04/02
545-mA/mm E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT (Vth > 4V) by Ion Beam Etching
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 968-971
作者:
Adobe PDF(2787Kb)
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浏览/下载:292/2
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提交时间:2024/04/16
Enhancement mode
ion beam etching
MOSHEMT
recessed-gate
normally-off
Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:
Zhu, Yitai
;
Zhang, Yu
;
Qu, Haolan
;
Gao, Han
;
Du, Haitao
Adobe PDF(4805Kb)
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浏览/下载:343/3
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提交时间:2024/06/11
AlGaN/GaN HEMT
O 2 plasma treatment
Current collapse
Threshold voltage shift
Dynamic characteristic
Nonlinear Capacitance Compensation Method for Integrating a Metal-Semiconductor-Metal Varactor with a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Power Amplifier
期刊论文
ELECTRONICS, 2024, 卷号: 13, 期号: 7
作者:
Li, Ke
;
Gu, Yitian
;
Guo, Haowen
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(9388Kb)
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浏览/下载:293/0
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提交时间:2024/05/14
GaN HEMT
power amplifier
AM-PM distortion
Acceleration of solving drift-diffusion equations enabled by estimation of initial value at nonequilibrium
期刊论文
NETWORKS AND HETEROGENEOUS MEDIA, 2024, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 456-474
作者:
Du, Chunlin
;
Zhang, Yu
;
Qu, Haolan
;
Guo, Haowen
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(5647Kb)
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浏览/下载:276/0
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提交时间:2024/05/14
drift -di ffusion equations
finite element method
nonlinear iteration
nonequilibrium
initial guess
semiconductor device simulation
High Quality Factor AlScN Lamb Wave Resonators Using NbN/Al Top Electrodes at Cryogenic Temperature
会议论文
2023 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE SENSORS, ACTUATORS AND MICROSYSTEMS, TRANSDUCERS 2023, Kyoto, Japan, June 25, 2023 - June 29, 2023
作者:
Luo, Zhifang
;
Shao, Shuai
;
Dong, Peng
;
Guo, Haowen
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(1113Kb)
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浏览/下载:256/2
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提交时间:2024/06/07
RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:
Junmin Zhou
;
Haowen Guo
;
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Haolan Qu
Adobe PDF(1317Kb)
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浏览/下载:403/2
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提交时间:2023/07/28
Gallium nitride
III-V semiconductors
Leakage currents
Low noise amplifiers
Noise figure
Threshold voltage
Enhancement-mode
Gain
Gate
Gate-leakage
High electron-mobility transistors
Linearity
Low noiseamplifier
Performances evaluation
Radiofrequencies
RF low noise amplifier
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