KMS

浏览/检索结果: 共2条,第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 358-364
作者:  Yu Zhang;  Renqiang Zhu;  Haolan Qu;  Yitian Gu;  Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:318/0  |  提交时间:2024/06/11
HVPE growth of bulk GaN with high conductivity for vertical devices 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 1
作者:  Xia, Songyuan;  Zhang, Yumin;  Wang, Jianfeng;  Chen, Jihu;  Xu, Ke
Adobe PDF(1211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:437/6  |  提交时间:2020/12/23
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页