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Unintentional Fe incorporation in the homo-epitaxy of GaN on Fe-doped freestanding GaN substrate 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2025, 卷号: 18, 期号: 3
作者:  Xia Songyuan(夏嵩渊);  Zhang Yumin(张育民);  Sun Yuanhang(孙远航);  Zhu Qizhi(朱启志);  Liu Wei(刘伟)
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