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Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu
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Investigation of a minority carrier trap in a NiO/β-Ga2O3p–n heterojunction via deep-level transient spectroscopy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 105010
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Zhang, Ruohan
Adobe PDF(999Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：295/0  |  提交时间：2023/09/23
Emission and Capture Characteristics of Electron Trap (Eemi = 0.8eV) in Si-doped β-Ga2O3 Epilayer 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 015001
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Gu, Yitian
Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：429/0  |  提交时间：2022/11/08
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