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Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 1
作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Song, Yuxin;  Li, Yaoyao
Adobe PDF(1009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：708/0  |  提交时间：2017/07/04
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