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Linearity-Enhanced GaN Power Amplifier with Dual-Transistor Compensation Strategy
会议论文
2024 IEEE MTT-S INTERNATIONAL WIRELESS SYMPOSIUM (IWS), Beijing, China, 16-19 May 2024
作者:
Ke Li
JPEG(176Kb)
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浏览/下载:169/0
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提交时间:2024/09/19
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
Junction gate field effect transistors
Masers
Power amplifiers
Power HEMT
System-on-chip
AM-AM distortion
AM-PM
Compensation strategy
Gain compression
GaN power amplifier
Output power
Power
Power amplifier
Soft gain compression
Transistor architecture
Power Compression and Phase Analysis of GaN HEMT for Microwave Receiver Protection
期刊论文
ELECTRONICS, 2022, 卷号: 11, 期号: 13, 页码: 1958
作者:
Song, Wenhan
;
Guo, Haowen
;
Gu, Yitian
;
Zhou, Junmin
;
Sui, Jin
Adobe PDF(1835Kb)
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收藏
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浏览/下载:1112/521
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提交时间:2022/08/15
gallium nitride (GaN)
high electron mobility transistor (HEMT)
microwave receiver protector (RP)
power compression
phase shift
Output Phase and Amplitude Analysis of GaN-based HEMT at Cryogenic Temperatures
期刊论文
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2021, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 1219-1222
作者:
Haowen Guo
;
Junmin Zhou
;
Maojun Wang
;
Xinbo Zou
Adobe PDF(2774Kb)
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收藏
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浏览/下载:396/2
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提交时间:2021/05/26
Amplitude compression
cryogenic temperature
gallium nitride (GaN)
high electron-mobility transistor (HEMT)
phase compression
Temperature-Dependent Dynamic Degradation of Carbon-Doped GaN HEMTs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 7
作者:
Yitian Gu
;
Yangqian Wang
;
Jiaxiang Chen
;
Baile Chen
;
Maojun Wang
Adobe PDF(2431Kb)
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收藏
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浏览/下载:425/5
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提交时间:2021/05/26
Carbon-doped GaN
cryogenic temperatures
dynamic characteristics
GaN high electron mobility transistor (HEMT)
low-temperature electronics
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